Тонкая пленка для транзистора

Мировые лидеры производства микроэлектроники в настоящее время используют так называемую 45-нм технологию, то есть, толщина линий на микросхеме не превышает 45 нм. В ближайшем будущем состоится переход на 32-нм технологию. Например, компания «Интел» официально представила первые такие процессоры в начале 2010 года.

Интересно

Знаете ли вы, что ...

Мы очень гордимся тем, что российский физик Андрей Гейм, ныне проживающий за рубежами страны, год назад получил Нобелевскую премию. Но он прославился еще и тем, что получил и ироническую Шнобелевскую премию. Десять лет назад он проводил, показавшийся многим бессмысленным, эксперимент по демагнитной левитации лягушек. В итоге получилось так, что Андрей стал единственным в мире физиком, владеющий обеими престижными (конечно, каждая по-своему) премиями

Смотрите также

  • Солнечная батарея без кремния Солнечные батареи на основе кремниевых пластин сегодня уже могут ...   подробно
  • Наноловушка для молекул Совменная наука подходит все ближе к решению таких задач, как дет ...   подробно
  • Нанолитография Ученые из Технологического института Джорджии разработали метод н ...   подробно
  • Нанодатчик Ученым из Технологического института Джорджии удалось создать пер ...   подробно

Новинки

другие новинки
PODClubИнновацииНанотехнологии → Тонкая пленка для транзистора
 

Для освоения такого рода технологий нужно уметь создавать все виды электронных приборов из тонких пленок. Причем чем меньше размер линий, тем тоньше должна быть пленка. Соответственно, требования к используемым материалам становятся все более жесткими. Например, в транзисторе, основном электронном приборе в процессорах и устройствах памяти, имеется три электрода, один из которых, затвор, пропускает или не пропускает электрический ток через транзистор. У затвора есть диэлектрическая подложка, так называемый подзатвор, которая предохраняет затвор. Чем тоньше транзистор, тем более высокой должна быть диэлектрическая проницаемость материала. Поиск именно этих материалов и стал предметом исследований специалистов из Московского инженерно-физического института.

В ходе работы они установили, что оптимальное вещество для подзатвора имеет состав LaAlO3, а для затвора – TaN. Ученые синтезировали предшественников для получения этих веществ и отработали режимы осаждения сверхтонких (толщиной 20 нм) диэлектрических пленок с применением таких предшественников. Испытания подтвердили, что комбинацию LaAlO3 с TaN можно использовать при изготовлении тонкопленочной микроэлектроники.

По результатам работы поданы две заявки на патенты, защищающие способ формирования транзистора из этих материалов. Полученные результаты помогут последующей разработке технологии производства нового поколения устройств тонкополеночной микроэлектроники по норме 45 нм. А это, в свою очередь, что позволит отечественной промышленности достичь независимости и конкурентоспособности, а также обеспечит безопасность страны в области микроэлектронных технологий.

Работа выполнена при поддержке Роснауки (в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007 - 2012 годы»)

Сергей Комаров